路透社：三星与 SK 海力士升级中国存储厂，转产 286 层与 240 层以上 NAND

据路透社 10 月 21 日报道（新浪财经转述），援引四名知情人士的消息，三星电子与 SK 海力士正在升级其在中国大陆的存储晶圆厂，以生产更先进制程的产品。三星西安工厂约占其全球 NAND 产出的 40%，当前主产约 200 层产品，内部代号为 Monami 的项目拟转产 286 层的 V9 NAND；SK 海力士大连厂的目标是 240 层及以上。

报道给出的动因很具体：长江存储等本土厂商带来的竞争压力。过去几年，外资存储厂在中国大陆的产线以成熟制程为主，先进层数的产能留在韩国本土；把层数升级做在中国厂区内，等于承认在本地市场已经不能靠代际差维持份额。

这条消息需要放在同一轮存储景气管线里看：10 月 19 日财联社称三星将与台积电联合开发 3 纳米的 HBM 基底裸片，10 月 26 日有报道称三星与 SK 海力士为英伟达供应的 8 层 HBM4 量产时间定在明年二季度。存储厂商同时在为 AI 侧的定制产品与中国市场的层数竞争调配产能。