三星将联合台积电用 3 纳米制造英伟达 NVHBM 基底裸片

据财联社 10 月 19 日消息，三星电子将与台积电联合开发 3 纳米制程的基底裸片（Base Die），用于英伟达的定制 HBM 产品 NVHBM，核心存储颗粒采用第六代 DRAM，也就是 HBM4。这是三星与台积电在 HBM 制造环节的第一次合作。

更值得注意的是需求侧的动作：报道说英伟达已向三星、SK 海力士、美光三家供应商提出统一的基底裸片要求。基底裸片负责堆叠存储与接口逻辑，把它标准化意味着同一份设计可以跨三家代工，减少逐家重复的质量验证步骤。这本质上是把内存厂商之间本应存在的差异化，主动抹平成可互换的产能。

同一天内存市场也有一条来自 TrendForce 的判断：2026 年数据中心带动光纤现货价上涨 2.8 至 5 倍，供需紧张预计持续到 2028 年。10 月 20 日该机构进一步预估 4Q26 一般型 DRAM 合约价环比上涨约 20%。定制 HBM 与常规内存同时在收紧，是本轮 AI 基建最典型的产能矛盾。